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电工文库|电力晶体管的二次击穿及产生二次击穿的原因
2016-02-15  浏览:34
水电之家讯:电力晶体管的二次击穿

(1) PN结的反向击穿

PN结的反向击穿,可分为三种类型:热电击穿、隧道击穿和雪崩击穿。

① 热电击穿

当外加反向电压升高时,较大的反向电流引起热损耗,导致器件的结温升高,促使本征载流子浓度明显增加,使反向电流增长更快。形成强烈的正反馈,最后导致PN结击穿。

②隧道击穿(齐纳击穿)

如果PN结势垒区的电场很强,穿过禁带的电子很多,反向电流增长很快,从而引起了PN结击穿。

③雪崩击穿

在反向高电压下,PN结势垒区的电场很强,载流子在强电场中得到大的动能,从而成为“热”载流子,“热”载流子与晶格原子相碰撞,使晶格原子价带内的电子被激发到导带,形成电子-空穴对。不断地发生碰撞,不断地产生第二、三、四…代电子-空穴对,使载流子成倍增加,从而引起了PN结击穿。大功率电力电子器件中,雪崩击穿是常见击穿现象。

产生二次击穿的原因

二次击穿主要是由于器件芯片局部过热引起。

正向偏置时,温度升高是由热不均衡性引起的。由于晶体管的结面上有缺陷和参数分布不均匀,导致电流分布不均匀,从而引起温度分布不均匀。温度高的局部区域载流子浓度将增加,使电流更加密集,这种恶性循环形成热不稳定性。如果局部区域所产生的热量不能及时散发,将使电流上升失去控制。一旦温度达到材料熔点,便造成永久性破坏。

反向偏置时,温度升高是由雪崩击穿引起的。由于发生一次雪崩击穿之后,在某些点上因电流密度过大,改变了结电场分布,产生负阻效应,从而使局部温度过高的一种现象。

二次击穿最终是由于局部过热而引起,而热点的形成需要能量的积累,即需要一定的电压、电流和一定的时间。因此,集电极电压、电流、负载性质、导通脉冲宽度、基极电路的配置以及材料、工艺等因素都对二次击穿有一定的影响。水电之家为您提供最全面的管材,管件,水电,电线,电工,管材水电品牌的装修知识点和各种管材水电的导购与在线购买服务,拥有最便宜的管材水电价格和最优质的售后服务,每天都有秒杀的抢购活动哦!敬请登陆水电之家:http://shuidian.jc68.com/
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