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图1
图2
例如,对高频小功率硅管3DG6,在IC=1mA,IB=3μA,VCE=5V时的H参数,通过实验测得
由这些具体数字可见,hoe和hre相对而言是很小的,对于低频放大电路,输入回路中hrevce比vbe小得多,而输出回路中负载电阻Rc(或RL)比BJT输出电阻1/hoe小得多,所以在模型中常常可以把hre和hoe忽略掉,这在工程计算上不会带来显著的误差。同时采用习惯符号,用rbe代替hie并且b代替hfe,则图1可简化成图2所示模型电路。利用这个简化模型来表示BJT时,可使BJT放大电路的分析计算进一步简化。当负载电阻Rc(或RL)较小,满足Rc(或RL)< 0.1rce的条件时,利用这个简化模型来分析低频放大电路所得放大电路的各主要指标,如电压增益、电流增益、放大电路的输入电阻Ri及输出电阻Ro等,其误差不会超过10%。
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