水电之家讯：1、BJT高频小信号模型的提出：

根据BJT的特性方程，推导出的H参数低频小信号模型在高频运用的情况下，其物理过程有些差异，主要表现在BJT的极间电容不可忽略。为此，我们从BJT的物理机构出发加以分析，再用电阻、电容、电感等电路元件来模拟其物理过程，从而得出BJT的高频小信号模型，如图1所示。现就此模型中的各个元件参数作一简要的说明。

2、BJT的高频小信号模型：

在图示的BJT的高频小信号模型中

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图1 BJT的高频小信号模型

　

rbb¢ ——基区体电阻。

rb¢e ——发射结的小信号电阻，由于发射结正偏，rb¢e很小。

Cb¢e ——发射结电容。

rb¢c ——集电结反偏小信号电阻（图中未画出）。

Cb¢c——集电结电容。

——受控电流源 ，它受 所控制。gm称为互导，定义为 。

rce ——受控电流源的电阻（图中未画出）。

在高频情况下，rb¢c 的数值很大，可以忽略不计； 一般 ，因此，rce也略去。

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