水电之家讯：1. 输出特性曲线

恒流区：(又称饱和区或放大区）

特点: (1)受控性：输入电压vGS控制输出电流iD。


(2)恒流性：输出电流iD 基本不受输出电压vDS的影响。

用途: 可做放大器和恒流源

条件: (1)源端沟道未夹断




(2)漏端沟道予夹断


可变电阻区：

特点:（1）当vGS 为定值时, iD 是 vDS 的线性函数，管子的漏源间呈现为线性电阻，其阻值受 vGS 控制。

（2）管压降vDS 很小。

用途：做压控线性电阻和无触点的、接通状态的电子开关。

条件：源端与漏端沟道都不夹断



夹断区：

特点：

用途：做无触点的、断开状态的电子开关。

条件：整个沟道都夹断



击穿区：

当漏源电压增大 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20~ 50）V之间。管子不能在击穿区工作。

2. 转移特性





输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制


可在曲线上求gm ：

结型场效应管的特性小结


3. 主要参数

① 夹断电压VP (或VGS(off))：漏极电流约为零时的VGS值 。

② 饱和漏极电流IDSS：当VGS=0，VDS> |VP|时对应的漏极电流。

③ 低频跨导gm：低频跨导反映了vGS对iD的控制作用。gm可以在转移特性曲线上求得，单位是mS(毫西门子)。






或





④直流输入电阻RGS：在漏源间短路的情况下，栅源间加一定的反偏电压时的栅源直流电阻。在手册上又称栅源绝缘电阻。


⑤输出电阻rd： 反映了漏源电压对漏极电流的影响。 iD随vDS改变很小，所以rd的数值很大，在几十千欧到几百千欧之间。

⑥ 最大漏源电压V(BR)DS ：栅漏间PN结发生雪崩击穿，iD开始急剧上升时的vDS值。

⑦ 最大栅源电压V(BR)GS ：栅源间PN结的反向电流开始急剧增加时的vGS值。

⑧ 最大耗散功耗PDM ：PDM＝vDSiD

金属－氧化物－半导体场效应管

金属－氧化物－半导体场效应管(metal Oxide Semiconductor FET) ——MOSFET，又称绝缘栅场效应管，简称MOS管。

分为： 增强型 ® N沟道、P沟道

耗尽型 ® N沟道、P沟道

耗尽型: VGS=0时，存在导电沟道，

增强型: VGS=0时，存在导电沟道

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